计算机与现代化

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面向NAND Flash存储的纠错编码技术概述

  

  1. (1.山东超越数控电子有限公司,山东 济南 250104; 2.山东省特种计算机重点实验室,山东 济南 250104)
  • 收稿日期:2016-10-24 出版日期:2017-11-21 发布日期:2017-11-21
  • 作者简介:彭福来(1987-),男,山东莒南人,山东超越数控电子有限公司、山东省特种计算机重点实验室工程师,博士,研究方向:高速存储,计算机体系架构,异构计算。

Overview on Error Correction Code Technologies for NAND Flash Memory

  1. (1. Shandong Chaoyue Digital Control Electronics Co., Ltd., Jinan 250104, China; 2. Shandong Special Computer Key Laboratory, Jinan 250104, China)
  • Received:2016-10-24 Online:2017-11-21 Published:2017-11-21

摘要: 对面向NAND Flash存储的纠错编码技术进行综述。首先,介绍NAND Flash的内部结构及其出错机制。然后,对目前常用的4种纠错编码技术(Hamming码、RS码、BCH码以及LDPC码)原理及现状进行详细介绍。最后,对比分析这4种纠错编码技术的优缺点以及未来的发展趋势。

关键词: 纠错编码, NAND Flash存储, BCH码, LDPC码

Abstract: This paper presented a review on the error correction code (ECC) technologies for NAND flash memory. Firstly, we introduced the internal structure and error mechanism of NAND flash. Then, we introduced the current four ECC technologies including Hamming code, RS code, BCH code and LDPC code and presented the research status. Lastly, the analysis and comparison among these four technologies were presented.

Key words: error correction code, NAND flash memory, BCH code, LDPC code

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